테스트 요구 사항에 적합한 ESD 시뮬레이터 건 선택

방전이란 무엇입니까?
이는 모든 전자 부품이나 집적 회로 시스템이 과도한 전기적 안정성 손상을 일으키는 주요 원인이 될 것입니다. 정전기 전압은 일반적으로 매우 높기 때문에(수천 볼트 이상) 이러한 손상은 치명적이고 영구적이며 이로 인해 회로가 직접 연소될 수 있습니다. 따라서 정전기 손상을 방지하는 것은 모든 IC 설계 및 제조에 있어서 가장 중요한 문제입니다.

방전 일반적으로 생산, 조립, 테스트, 보관, 운송 등 인공적으로 생산되는 경우가 있습니다. 방전 인체, 기구 또는 장비에 정전기가 축적되고 구성 요소 자체에도 정전기가 축적됩니다. 이 경우 이러한 전력 기반 물체의 접촉은 방전 경로를 형성하여 전자 부품이나 시스템이 즉시 손상되도록 합니다. 방전 (그래서 컴퓨터는 인체에 ​​닿는 것을 방지하기 위해 작업대에 정전기 루프를 착용해야 했습니다. 정전기 손상 칩) 구름에 저장된 전하처럼 즉시 구름을 관통합니다. 심한 번개가 발생하여 땅이 갈라지며 일반적으로 공기의 습도가 전도성 통과를 형성할 가능성이 있는 경우입니다.

그렇다면 정전기 방전 손상을 방지하는 방법은 무엇입니까? 우선은 당연히 정전기를 근원부터 바꿔야 한다(마찰을 줄인다, 울 스웨터를 덜 입는다, 기온과 습도를 조절하는 것 등). 물론 이것이 오늘 우리 논의의 초점은 아닙니다.

오늘 논의할 때는 보호 회로를 회로에 포함시키는 방법에 대해 설명합니다. 정전기가 발생할 때 정전기가 발생하는 전기 전자 부품이나 시스템이 있을 때 정전기로 인한 손상을 방지하고 자체 보호할 수 있습니다(실제로 피뢰침 설치). 이는 또한 많은 IC 설계 및 제조업체의 가장 큰 문제이기도 합니다. 많은 회사에는 디자인 전문 팀이 있습니다. ESD. 오늘은 차근차근 원리와 주의사항을 설명드리겠습니다. ESD 가장 기본적인 이론으로부터의 보호. 앞서 언급한 PN을 찾을 수 있습니다. 키드/다이오드, 삼극관, MOS 튜브, 스냅백 모두 사용됩니다.

이전 주제에서 PN 매듭 다이오드의 이론을 설명할 때 다이오드에는 정방향 및 역방향 차단 특성이 있으며 안티 바이어스 전압은 이를 계속 증가시킨다고 언급했습니다. . 이것이 바로 정전기 방지를 설계하는 데 필요한 이론적 기초입니다. 우리는 이 역방향 차단 특성을 사용하여 정상적으로 작동할 때 연결이 끊긴 상태에서 이 바이패스를 만듭니다. 우회 통로는 내부 회로나 대문을 보호합니다(가정의 싱크대에 물을 쏟은 것과 유사하여 수도꼭지가 욕실 전체를 닫는 것을 잊어버리는 것을 방지합니다).

그래서 질문이 생깁니다. 이 보호 회로가 완전히 파손된 것인가요? 일회성인가요? 대답은 물론 그렇지 않습니다. PN 매듭에는 전기 파괴와 열 파괴의 두 가지 유형이 있습니다. 전기 침투는 눈사태 항복(낮은 농도)과 지나(Zina) 항복(고농도)을 의미합니다. Electron-Hole에서 흐르는 전력의 흐름이 복원될 수 있도록 합니다. 그러나 열응집으로 인해 실리콘(Si)이 녹아 연소되기 때문에 열분해는 되돌릴 수 없습니다. 따라서 전류 제어 전류를 제어하고 일반적으로 보호 다이오드에 높은 저항을 연결해야 합니다.

게다가, 모두가 그 이유를 이해할 수 있습니까? ESD 지역은 사용할 수 없나요? 누구에게나 이론이 있습니다. ESD 일반적으로 칩 입력 단자의 PAD 옆에 있습니다. 우리는 항상 외부 전기가 가능한 한 빨리 누출되기를 원하고 지연이 있기 때문에 칩에 들어갈 수 없습니다. (이전 해부학의 칩 옆에 다이오드가 있습니다. 심지어 두 가지 레벨도 있습니다. ESD 이중 보호의 목적을 달성하기 위해.

원리를 이야기하기 전에 ESD 및 프로세스에 대한 표준과 테스트 방법에 대해 이야기하겠습니다. ESD. 정전기 방식과 회로의 손상 모드에 따라 일반적으로 인간 방전 모드(HBM: Human-Body Model), 기계 모델(Machine Model), 부품 충전 모드(CDM:)의 네 가지 테스트 방법으로 구분됩니다. Charge-Device Model) 및 전기장 센서 모드(FIM: Field-Induced Model)가 있지만 업계에서는 일반적으로 처음 두 가지 모드(HBM, MM)를 테스트에 사용합니다.

1. 인체 방전 모드(HBM):
물론 인체 마찰로 인해 전하가 생성되었고 칩에서 방출된 전하로 인해 칩이 타서 파손되었습니다. 가을이 되면 사람들과 소통하는 이유도 여기에 있다. 업계에는 HBM의 ESD 표준(MIL-STD-883C 방법 3015.7, 등가 인간 커패시터는 100pf, 등가 인간 저항은 1.5kohm) 또는 국제 전자 산업 표준(EIA/JESD22-A114-A)이 있습니다. 팔로우하려는 항목에 따라 지정됩니다.

MIL-SD-883C METHOD 3015.7이라면 2KV 미만을 Class-1, 2kV~4KV를 Class-2, 4KV~16KV를 Class-3으로 규정하고 있다.

2. 기계 방전 모드(MM):
물론, 기계에서 생성된 정전 터치 칩(예: ROBOT)이 기계에서 생성된 정전 터치 칩이 PIN 발에 의해 해제될 때 121차 표준은 EIAJ-IC-20 Method 22(또는 표준 EIA /JESD115-A100-A).), 커패시터는 여전히 0pf입니다. 기계가 금속이고 저항이 XNUMX이기 때문에 방전 시간이 매우 짧아 MS와 US 사이에 가깝습니다.

그러나 더 중요한 문제는 등가저항이 0이기 때문에 전류가 매우 크기 때문에 200V MM 방전도 2kV HBM 방전보다 더 해롭다는 것이다. 그리고 기계 자체에는 전선이 많기 때문에 결합 효과가 있으므로 시간이 변하면 전류가 변합니다.

　 ESD 테스트 방법은 FAB의 GOI 테스트와 유사합니다. PIN을 지정한 후 그에게 ESD 전압. 일정 시간이 지난 후 다시 테스트하여 전기 장치가 손상되었는지 확인하십시오. 그런 다음 전기적 측정을 하므로 항복이 일어날 때까지 반복하여 이때의 항복전압은 ESD 실패 임계 전압. 일반적으로 우리는 모두 회로에 3개의 전압(70 ZAPS)을 제공합니다. 테스트 주기를 줄이기 위해 XNUMX% ESD 표준 전압의 임계값은 일반적으로 시동 전압에 사용됩니다. 각 STEP은 필요에 따라 50V 또는 100V를 조정할 수 있습니다.

LISUN 해결 방법 :
LISUN ESD 시뮬레이터 건 (정전기 방전 발생기/정전기 건/ESD 건) IEC 61000-4-2, EN61000-4-2, ISO10605, GB/T17626.2, GB/T17215.301 과 GB/T17215.322.

인체에 의해 물체에 또는 두 물체 사이에 발생하는 정전기로 인해 전기 및 전자 장비 회로가 오작동하거나 손상될 수 있습니다. ESD 발생기는 전기 및 전자 장비 평가를 위한 내구 ESD 성능 측정용으로 설계되었습니다. ESD61000-2/ESD61000-2A 영어와 중국어로 된 LCD 터치 스크린이 있습니다. 

정전기 방전 시뮬레이터는 최대 정전기 전압이 30kv일 수 있으며, 이는 가장 엄격한 표준 등급의 정전기 전압 요구 사항을 충족하기에 충분합니다(4등급 공기 방전 정전기의 전압 요구 사항은 15KV임). ESD 테스트 건은 정전기 방전 테스트를 위한 대부분의 전기 및 전자 장비에 사용할 수 있으며 테스트의 비교성 및 재현성을 보장할 수 있습니다.

우리의 주요 제품은 고니 오 포토 미터, 통합 영역, 분광 방 사계, 서지 발생기, ESD 시뮬레이터 건, EMI 수신기, EMC 시험 장비, 전기 안전 시험기, 환경 챔버, 온도 챔버, 기후 챔버, 열 챔버, 염수 분무 시험, 먼지 테스트 챔버, 방수 시험, RoHS 테스트(EDXRF), 글로우 와이어 테스트 과 바늘 화염 테스트.

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